Введение в магнитоэлектронику

Курс лекций для студ. физ. фак-та. – Минск: БГУ, 2003. — 73 с.Курс предназначен для студентов 4 курса специализаций «Физика полупроводников и диэлектриков» и –«Новые материалы и технологии». Рассматриваются вопросы переноса заряда в немагнитных и магнитоупорядоченных конденсированных средах и структурах на их основе во внешнем магнитном поле, возможность применения магниторезистивных эффектов в устройствах автоматики, измерительной и вычислительной техники.Введение
Лоренцевский магниторезистивный эффект
Лоренцевский магниторезистивный эффект в квантовом пределе
Размерный эффект в лоренцевском магнитосопротивлении
Магниторезистивный эффект в области прыжковой проводимости
Отрицательный магниторезистивный эффект
Основные понятия теории квантовых поправок к проводимости
Слабая локализация
Электрон-электронное взаимодействие
Отрицательный магниторезистивный эффект в режиме слабой локализации
Отрицательный магниторезистивный эффект в режиме сильной локализации
Анизотропный магниторезистивный эффект в магнитоупорядоченных средах
Гигантский магниторезистивный эффект
Спинзависимая проводимость
Резистивная модель гигантского магнитосопротивления
Туннельный магниторезистивный эффект
Колоссальный магниторезистивный эффект
Спинвентильная структура и ее характеристики
Список рекомендованной литературы